隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，消費(fèi)類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來(lái)越強(qiáng)大，越來(lái)越完善，極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性，同時(shí)保證了用戶健康信息的安全性，價(jià)格也合理。
 
這些全新的高級(jí)功能需要更強(qiáng)的處理能力、安全性和連接性。日益增長(zhǎng)的復(fù)雜性也要求固件/軟件代碼擴(kuò)展，反過來(lái)不僅增加了代碼，而且還提升了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器需求。這些增強(qiáng)功能，增加了系統(tǒng)的功耗預(yù)算，矛盾的是，緊湊外型的便攜式醫(yī)療設(shè)備要求超長(zhǎng)電池壽命，需要降低功耗。
 
本篇文章富士通FRAM代理商主要介紹的在便攜式醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中鐵電存儲(chǔ)器具有幾大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)及FRAM的效率與可靠性
 
在便攜式醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中，與EEPROM和閃存等其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)相比，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）具有以下幾大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：
 
1、高寫入周期耐久度
EEPROM和閃存寫入周期耐久度有限，而一些醫(yī)療設(shè)備需要可靠地存儲(chǔ)隨時(shí)更新的數(shù)據(jù)日志。閃存的耐久度水平為1E+5，EEPROM的耐久度水平是1E+6。相比之下，F(xiàn)RAM的寫入周期耐久度是1E+14（100萬(wàn)億），高出EEPROM和閃存若干個(gè)數(shù)量級(jí)。這樣的耐久度使設(shè)備能夠記錄更多的數(shù)據(jù)，無(wú)需執(zhí)行復(fù)雜的損耗均衡算法，無(wú)需提供過多的額外容量。
 
2、低功耗運(yùn)行
與閃存或EEPROM等存儲(chǔ)器件相比，FRAM的工作能耗低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。將它與即時(shí)非易失性相結(jié)合，有助于延長(zhǎng)電池使用壽命。利用低功耗待機(jī)模式，設(shè)計(jì)人員能夠進(jìn)一步優(yōu)化功耗。
 
3、即時(shí)非易失性
即時(shí)非易失性是FRAM技術(shù)的另一大重要特征。EEPROM和閃存需要額外的頁(yè)面編程/頁(yè)面寫入周期，增加了系統(tǒng)寫入操作的時(shí)間。FRAM的即時(shí)非易失性允許便攜式和植入式醫(yī)療系統(tǒng)以及其它的電池供電系統(tǒng)完全關(guān)閉電源，或更快地將系統(tǒng)切換至低功耗待機(jī)模式。工作時(shí)間的縮短和工作電流的減小，可顯著延長(zhǎng)系統(tǒng)的電池使用壽命。在有精確時(shí)序要求的應(yīng)用中，它們還有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)的可靠性，因?yàn)樗粦峙码娫垂收稀?br />  
4、可靠性提高
可靠性對(duì)于醫(yī)療設(shè)備至關(guān)重要。FRAM單元對(duì)包括X射線和伽瑪輻射在內(nèi)的各種輻射具有高度的耐受性。FRAM還對(duì)磁場(chǎng)免疫，從而確保記錄的數(shù)據(jù)安全可靠。
 
5、緊湊的外型
FRAM可以采用節(jié)省空間的封裝。例如富士通FRAM密度高達(dá)8Mb，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOIC封裝和微型8引腳GQFN封裝，吞吐量最高可達(dá)50MHz SPI I/O和108MHz QSPI（Quad-SPI）I/O。
 
高輻射耐受性、數(shù)據(jù)可靠性、低功耗和緊湊的外型這些關(guān)鍵特性，使得FRAM成為便攜式和植入式醫(yī)療設(shè)備的理想選擇。

本文關(guān)鍵詞： FRAM  

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