MRAM芯片用備用電池代替SRAM的雄心可能與Microchip Technology最新的EERAM產(chǎn)品形式的舊式現(xiàn)存存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)。
 
串行外圍設(shè)備接口（SPI）EERAM。它針對(duì)涉及重復(fù)性任務(wù)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序，這些應(yīng)用程序需要能夠在處理過(guò)程中斷電時(shí)自動(dòng)恢復(fù)內(nèi)容的功能。此功能將有用的示例包括制造設(shè)備和智能儀表。
 
長(zhǎng)期以來(lái)，解決方案一直是采用帶有電池的SRAM來(lái)使內(nèi)存保持?jǐn)嚯姷拈L(zhǎng)期解決方案，但這種非易失性串行ram（NVSRAM）解決方案往往是最高的每位價(jià)格存儲(chǔ)器選擇，甚至盡管密度往往相對(duì)較低。
 
EERAM本質(zhì)上是一個(gè)串行SRAM，在器件內(nèi)部的每個(gè)單元中都包含非易失性晶體管。與NVSRAM不同，它不需要外部電池。它使用一個(gè)小的外部電容器來(lái)提供當(dāng)系統(tǒng)斷電時(shí)將SRAM的內(nèi)容移動(dòng)到非易失性單元所需的能量，這是通過(guò)IC監(jiān)視公共集電極上的電壓并自動(dòng)處理SRAM和SRAM之間的數(shù)據(jù)移動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。必要時(shí)使用非易失性存儲(chǔ)器。
 
EERAM產(chǎn)品組合的新增功能包括四種SPI密度，范圍從64Kb到1Mb，與現(xiàn)有的串行NVSRAM相比，可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員節(jié)省多達(dá)25％的成本。這并不是說(shuō)不再涉及任何SRAM，而是由電池代替了傳統(tǒng)的電池組合。EERAM使用與串行SRAM相同的SPI和I2C協(xié)議，因此SRAM可以在斷電期間保留內(nèi)容，而無(wú)需外部電池。
 
它實(shí)際上只是一個(gè)全天候運(yùn)行，整夜運(yùn)行的SRAM，并且一次又一次地完成其工作。在這種情況下，當(dāng)電源消失時(shí)，我們會(huì)捕獲該信息。
     
EERAM的非易失性方面對(duì)于用戶(hù)是不可見(jiàn)的，并且小容量存儲(chǔ)器件可以滿(mǎn)足幾種日益普遍的情況（例如生產(chǎn)線）的需求，在這種情況下，工作站可能重復(fù)執(zhí)行簡(jiǎn)單的任務(wù)一百萬(wàn)次。破壞數(shù)據(jù)的斷電可能意味著丟棄物品和延誤，浪費(fèi)了制造商的時(shí)間和金錢(qián)。EERAM使線路能夠在恢復(fù)電源后立即恢復(fù)，因?yàn)闆](méi)有數(shù)據(jù)丟失。
 
智能電表是另一個(gè)例子，因?yàn)閱螒?hù)房屋短時(shí)斷電對(duì)業(yè)主來(lái)說(shuō)僅意味著幾分錢(qián)，但對(duì)于公用事業(yè)來(lái)說(shuō)，它是成千上萬(wàn)戶(hù)的幾分錢(qián)。當(dāng)智能電表在通電后又恢復(fù)在線時(shí)，他們想知道在電表掉電之前要測(cè)量多少。
 
如此小容量的內(nèi)存無(wú)法解決一些更有趣的問(wèn)題，例如滿(mǎn)足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)的需求，或者在時(shí)尚的智能手機(jī)中支持高分辨率視頻，但是EERAM可能會(huì)解決很多問(wèn)題具有成本效益且更可靠。
 
它適用于許多情況。在這種情況下，是許多公司想要消除的電池，因?yàn)樗豢煽俊ERAM本質(zhì)上與舊的SimtekNoVRAM是相同的技術(shù)，后者是NVDIMM的單片實(shí)施。唯一的區(qū)別是它使用SPI或I2C接口。它就像SRAM一樣運(yùn)行，直到您拉動(dòng)鏈條。
 
EERAM解決方案可消除電池備份問(wèn)題的不可靠性，這是MRAM制造商Everspin一直在追求的市場(chǎng)，只是價(jià)格與現(xiàn)有解決方案相同。


本文關(guān)鍵詞： MRAM   SRAM

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