切換(或場驅(qū)動)MRAM包括大部分的獨(dú)立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度，需要更低的能量寫比切換MRAM。2019年已發(fā)運(yùn)大部分MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。

主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球鑄造廠、英特爾、三星和TSMC。

STT-MRAM有很高的性能，但不如最快的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器快。然而一種被稱為自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)的MRAM技術(shù)有潛力匹配靜態(tài)隨機(jī)存儲器的性能。

磁性隨機(jī)存取存儲器(場或自旋器件)使用一個選擇晶體管作為存儲單元，見下圖1。MRAM單元可以具有專用晶體管，或者該晶體管可以在兩個存儲單元之間共享。在用于MRAM生產(chǎn)之前，必須在晶片上創(chuàng)建特定的選擇晶體管設(shè)計(jì)。
 
目前MRAM軟件技術(shù)正在世界各地的實(shí)驗(yàn)室中開發(fā)，但是隨著STT-MRAM產(chǎn)品成本的降低，無論是嵌入式產(chǎn)品還是獨(dú)立產(chǎn)品，MRAM軟件技術(shù)都可能成為MRAM取代最快的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器應(yīng)用的手段，提供更高的非易失性存儲器密度，從而支持非常低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用。

Everspin代理MRAM
 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000

本文關(guān)鍵詞：MRAM  STT-MRAM

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