SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多8 BIT 單片機(jī)，由于能支持的RAM存儲(chǔ)比較小，內(nèi)部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對(duì)低功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)主板呢？
 
1.地址緩沖器在提供給存儲(chǔ)器的sa0～sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以，但因?yàn)?41ls245布線比較簡單，所以才通過74ls245可單向使用。
 
2.數(shù)據(jù)緩沖器因?yàn)閿?shù)據(jù)需要雙向進(jìn)行，所以才要利用74ls245來進(jìn)行接收。會(huì)將柵極一直打開，通過對(duì)存儲(chǔ)器芯片的讀信號(hào)來進(jìn)行方向控制。本次我們采用將pld上存儲(chǔ)器的讀信號(hào)設(shè)置為只在cs1有效時(shí)才輸出的方法。
 
3.pld（memdec）ld應(yīng)用于生成對(duì)存儲(chǔ)器的片選、de以及we信號(hào)中。片選信號(hào)是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平時(shí)被選擇的。將存儲(chǔ)器芯片的讀/寫信號(hào)設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時(shí)輸出。
 
4.各份電源的切換，電池各份的重點(diǎn)將會(huì)在于電源切換和片選信號(hào)的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多的話，則可能會(huì)發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
 
5.片選控制，為了電池備份，必須使存儲(chǔ)器的片選信號(hào)無效。本次我們雖然只利用ce1進(jìn)行控制，但為了保持較低的損耗電流，必須使ce1可保持與電源電壓相近的值（cy62l28為vcc-0.2v以上）。為了進(jìn)行片選控制，將會(huì)利用作為電源監(jiān)視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。
 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)多年來被廣泛應(yīng)用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應(yīng)用，特別會(huì)要求初始存取等待時(shí)間比較短的情況下，都會(huì)考慮使用SRAM，這已經(jīng)成為一個(gè)常識(shí)。歷史上SRAM存儲(chǔ)器芯片市場曾經(jīng)幾度起伏，大多數(shù)時(shí)候整個(gè)存儲(chǔ)器芯片市場需求量會(huì)因?yàn)橐粋€(gè)新的SRAM應(yīng)用而暴漲。


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