為滿足客戶對更大更快的SRAM 的普遍需求，偉凌創(chuàng)芯SRAM產品線，容量最高可達64Mb。產品線包括提供256Kb~64Mb不同容量的器件，為傳統(tǒng)的并行SRAM產品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存儲器中包含可選的電池備份切換電路，以便在斷電時保留數據。
 
    偉凌創(chuàng)芯EMI串行SRAM器件采用成本較低的8引腳封裝，并采用高速SPI/SQI通信總線，只需要4-6 個MCU I/O 引腳即可輕松集成。這減少了對更昂貴、高引腳數MCU的需求，有助于最大限度地減少整個電路板的尺寸。
　　
    對于需要比MCU板載RAM更多的RAM但又希望降低成本和減小電路板總尺寸的工程師來說，串行SRAM是一種很受歡迎的解決方案。偉凌創(chuàng)芯EMI串行SRAM芯片旨在以簡便且具有成本效益的替代方案取代并行SRAM。
 
    這些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間，是涉及連續(xù)數據傳輸、緩沖、數據記錄、計量以及其他數學和數據密集型功能的應用的絕佳選擇。這些器件的容量從64 Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 總線模式。
 
    安徽偉凌創(chuàng)芯專注存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售的。為客戶提供的存儲芯片領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。
         

本文關鍵詞：SRAM,偉凌創(chuàng)芯

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