NETSOL自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）。數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的耐久性特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
 
    Parallel STT-MRAM的容量范圍從1Mbit到16Mbit。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制（LB、UB）進行低位和高位字節(jié)訪問。
 
    它支持異步頁面模式功能，以提高讀寫性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字。該設備提供工業(yè)（-40℃至85℃）工作溫度范圍。官方代理英尚微支持提供樣品測試。
 
    核心特征
    容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb
    電源供應：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
    Parallel異步接口x16/x8I/O
    數(shù)據(jù)保存期：10年
    讀取耐力：無限
    擦寫耐力:10¹⁴
    無需外部ECC
    封裝：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2


半導體Netsol代理1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM選型表：http://jlcjjd.com/list-831-1.html

Density	Part Number	Organization	VDD(V)	Access Time(ns)	Temperature	Package
1Mbit	S3R1016V1M	64Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1008V1M	128Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1016R1M	64Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1008R1M	128Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2016V1M	128Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2008V1M	256Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2016R1M	128Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2008R1M	256Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4016V1M	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4008V1M	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4016R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4008R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
8Mbit	S3R8016V1M	512Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
8Mbit	S3R8008V1M	512Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
8Mbit	S3R8016R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
8Mbit	S3R8008R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
16Mbit	S3R1616V1M	1Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
16Mbit	S3R1608V1M	2Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
16Mbit	S3R1616V1M	1Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
16Mbit	S3R1608R1M	2Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA

本文關鍵詞：STT-MRAM,MRAM,Netsol代理

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